實驗失敗及教訓(xùn)心得體會和感想 實驗的經(jīng)驗和教訓(xùn)(3篇)

我們在一些事情上受到啟發(fā)后，應(yīng)該馬上記錄下來，寫一篇心得體會，這樣我們可以養(yǎng)成良好的總結(jié)方法。我們?nèi)绾尾拍軐懙靡黄獌?yōu)質(zhì)的心得體會呢？接下來我就給大家介紹一下如何才能寫好一篇心得體會吧，我們一起來看一看吧。

有關(guān)實驗失敗及教訓(xùn)心得體會和感想一

1、培養(yǎng)同學(xué)們“通過實驗手段用已知測未知”的實驗思想。

2、學(xué)習(xí)相關(guān)儀器的使用方法，掌握酸堿滴定的原理及操作步驟、

3、實現(xiàn)學(xué)習(xí)與實踐相結(jié)合。

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儀器：滴定臺一臺，25ml酸（堿）滴定管各一支，10ml移液管一支，250ml錐形瓶兩個。

藥品：0、1mol/lnaoh溶液，0、1mol/l鹽酸，0、05mol/l草酸（二水草酸），酚酞試劑，甲基橙試劑。

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中和滴定是酸與堿相互作用生成鹽和水的反應(yīng)，通過實驗手段，用已知測未知。即用已知濃度的酸（堿）溶液完全中和未知濃度的堿（酸）溶液，測定出二者的體積，然后根據(jù)化學(xué)方程式中二者的化學(xué)計量數(shù)，求出未知溶液的濃度。酸堿滴定通常用鹽酸溶液和氫氧化鈉溶液做標(biāo)準(zhǔn)溶液，但是，由于濃鹽酸易揮發(fā)，氫氧化鈉易吸收空氣中的水和二氧化碳，故不能直接配制成準(zhǔn)確濃度的溶液，一般先配制成近似濃度溶液，再用基準(zhǔn)物標(biāo)定。本實驗用草酸（二水草酸）作基準(zhǔn)物。

⑴氫氧化鈉溶液標(biāo)定：h2c2o4+2naoh=na2c2o4+2h2o

反應(yīng)達(dá)到終點時，溶液呈弱堿性，用酚酞作指示劑。（平行滴定兩次）

⑵鹽酸溶液標(biāo)定：hcl+naoh=nacl+h2o

反應(yīng)達(dá)到終點時，溶液呈弱酸性，用甲基橙作指示劑。（平行滴定兩次）

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1、儀器檢漏：對酸（堿）滴定管進(jìn)行檢漏

2、儀器洗滌：按要求洗滌滴定管及錐形瓶，并對滴定管進(jìn)行潤洗

3、用移液管向兩個錐形瓶中分別加入10、00ml草酸（二水草酸），再分別滴入兩滴酚酞、向堿式滴定管中加入藥品至零刻線以上，排盡氣泡，調(diào)整液面至零刻線，記錄讀數(shù)。

4、用氫氧化鈉溶液滴定草酸（二水草酸）溶液，沿同一個方向按圓周搖動錐形瓶，待溶液由無色變成粉紅色，保持30秒不褪色，即可認(rèn)為達(dá)到終點，記錄讀數(shù)。

5、用移液管分別向清洗過的兩個錐形瓶中加入10、00ml氫氧化鈉溶液，再分別滴入兩滴甲基橙。向酸式滴定管中加入鹽酸溶液至零刻線以上2—3cm，排盡氣泡，調(diào)整液面至零刻線，記錄讀數(shù)。

6、用鹽酸溶液滴定氫氧化鈉溶液，待錐形瓶中溶液由黃色變?yōu)槌壬⒈３?0秒不變色，即可認(rèn)為達(dá)到滴定終點，記錄讀數(shù)。

7、清洗并整理實驗儀器，清理試驗臺。

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1、氫氧化鈉溶液濃度的標(biāo)定：酸堿滴定實驗報告

2、鹽酸溶液濃度的標(biāo)定：酸堿滴定實驗報告

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①測得氫氧化鈉溶液的物質(zhì)的量濃度為0、100mol/l

②測得鹽酸的物質(zhì)的量濃度為0、1035mol/l

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判斷溶液濃度誤差的宗旨是待測溶液的濃度與消耗標(biāo)準(zhǔn)液的體積成正比。

引起誤差的可能因素以及結(jié)果分析：①視（讀數(shù)）②洗（儀器洗滌）③漏（液體濺漏）

④泡（滴定管尖嘴氣泡）⑤色（指示劑變色控制與選擇）

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①滴定管必須用相應(yīng)待測液潤洗2—3次

②錐形瓶不可以用待測液潤洗

③滴定管尖端氣泡必須排盡

④確保終點已到，滴定管尖嘴處沒有液滴

⑤滴定時成滴不成線，待錐形瓶中液體顏色變化較慢時，逐滴加入，加一滴后把溶液搖勻，觀察顏色變化。接近終點時，控制液滴懸而不落，用錐形瓶靠下來，再用洗瓶吹洗，搖勻。

⑥讀數(shù)時，視線必須平視液面凹面最低處。

有關(guān)實驗失敗及教訓(xùn)心得體會和感想二

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熱敏電阻是根據(jù)半導(dǎo)體材料的電導(dǎo)率與溫度有很強的依賴關(guān)系而制成的一種器件，其電阻溫度系數(shù)一般為(-0.003~+0.6)℃-1。因此，熱敏電阻一般可以分為:

ⅰ、負(fù)電阻溫度系數(shù)(簡稱ntc)的熱敏電阻元件

常由一些過渡金屬氧化物(主要用銅、鎳、鈷、鎘等氧化物)在一定的燒結(jié)條件下形成的半導(dǎo)體金屬氧化物作為基本材料制成的，近年還有單晶半導(dǎo)體等材料制成。國產(chǎn)的主要是指mf91~mf96型半導(dǎo)體熱敏電阻。由于組成這類熱敏電阻的上述過渡金屬氧化物在室溫范圍內(nèi)基本已全部電離，即載流子濃度基本上與溫度無關(guān)，因此這類熱敏電阻的電阻率隨溫度變化主要考慮遷移率與溫度的關(guān)系，隨著溫度的升高，遷移率增加，電阻率下降。大多應(yīng)用于測溫控溫技術(shù)，還可以制成流量計、功率計等。

ⅱ、正電阻溫度系數(shù)(簡稱ptc)的熱敏電阻元件

常用鈦酸鋇材料添加微量的鈦、鋇等或稀土元素采用陶瓷工藝，高溫?zé)贫?。這類熱敏電阻的電阻率隨溫度變化主要依賴于載流子濃度，而遷移率隨溫度的變化相對可以忽略。載流子數(shù)目隨溫度的升高呈指數(shù)增加，載流子數(shù)目越多，電阻率越小。應(yīng)用廣泛，除測溫、控溫，在電子線路中作溫度補償外，還制成各類加熱器，如電吹風(fēng)等。

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【實驗裝置】

fqj-ⅱ型教學(xué)用非平衡直流電橋，fqj非平衡電橋加熱實驗裝置(加熱爐內(nèi)置mf51型半導(dǎo)體熱敏電阻(2.7kω)以及控溫用的溫度傳感器)，連接線若干。

【實驗原理】

根據(jù)半導(dǎo)體理論，一般半導(dǎo)體材料的電阻率 和絕對溫度 之間的關(guān)系為

(1-1)

式中a與b對于同一種半導(dǎo)體材料為常量，其數(shù)值與材料的物理性質(zhì)有關(guān)。因而熱敏電阻的電阻值 可以根據(jù)電阻定律寫為

(1-2)

式中 為兩電極間距離， 為熱敏電阻的橫截面， 。

對某一特定電阻而言， 與b均為常數(shù)，用實驗方法可以測定。為了便于數(shù)據(jù)處理，將上式兩邊取對數(shù)，則有

(1-3)

上式表明 與 呈線性關(guān)系，在實驗中只要測得各個溫度 以及對應(yīng)的電阻 的值，

以 為橫坐標(biāo)， 為縱坐標(biāo)作圖，則得到的圖線應(yīng)為直線，可用圖解法、計算法或最小二乘法求出參數(shù) a、b的值。

熱敏電阻的電阻溫度系數(shù) 下式給出

(1-4)

從上述方法求得的b值和室溫代入式(1-4)，就可以算出室溫時的電阻溫度系數(shù)。

熱敏電阻 在不同溫度時的電阻值，可由非平衡直流電橋測得。非平衡直流電橋原理圖如右圖所示，b、d之間為一負(fù)載電阻 ，只要測出 ，就可以得到 值。

當(dāng)負(fù)載電阻 → ，即電橋輸出處于開

路狀態(tài)時， =0，僅有電壓輸出，用 表示，當(dāng) 時，電橋輸出 =0，即電橋處于平衡狀態(tài)。為了測量的準(zhǔn)確性，在測量之前，電橋必須預(yù)調(diào)平衡，這樣可使輸出電壓只與某一臂的電阻變化有關(guān)。

若r1、r2、r3固定，r4為待測電阻，r4 = rx，則當(dāng)r4→r4+△r時，因電橋不平衡而產(chǎn)生的電壓輸出為:

(1-5)

在測量mf51型熱敏電阻時，非平衡直流電橋所采用的是立式電橋 ， ，且 ，則

(1-6)

式中r和 均為預(yù)調(diào)平衡后的電阻值，測得電壓輸出后，通過式(1-6)運算可得△r，從而求的 =r4+△r。

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根據(jù)表一中mf51型半導(dǎo)體熱敏電阻(2.7kω)之電阻~溫度特性研究橋式電路，并設(shè)計各臂電阻r和 的值，以確保電壓輸出不會溢出(本實驗 =1000.0ω， =4323.0ω)。

根據(jù)橋式，預(yù)調(diào)平衡，將“功能轉(zhuǎn)換”開關(guān)旋至“電壓“位置，按下g、b開關(guān)，打開實驗加熱裝置升溫，每隔2℃測1個值，并將測量數(shù)據(jù)列表(表二)。

表一 mf51型半導(dǎo)體熱敏電阻(2.7kω)之電阻～溫度特性

溫度℃ 25 30 35 40 45 50 55 60 65

電阻ω 2700 2225 1870 1573 1341 1160 1000 868 748

表二 非平衡電橋電壓輸出形式(立式)測量mf51型熱敏電阻的數(shù)據(jù)

i 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10

溫度t℃ 10.4 12.4 14.4 16.4 18.4 20.4 22.4 24.4 26.4 28.4

熱力學(xué)t k 283.4 285.4 287.4 289.4 291.4 293.4 295.4 297.4 299.4 301.4

0.0 -12.5 -27.0 -42.5 -58.4 -74.8 -91.6 -107.8 -126.4 -144.4

0.0 -259.2 -529.9 -789 -1027.2 -124.8 -1451.9 -1630.1 -1815.4 -1977.9

4323.0 4063.8 3793.1 3534.0 3295.8 3074.9 2871.1 2692.9 2507.6 2345.1

根據(jù)表二所得的數(shù)據(jù)作出 ～ 圖，如右圖所示。運用最小二乘法計算所得的線性方程為 ，即mf51型半導(dǎo)體熱敏電阻(2.7kω)的電阻～溫度特性的數(shù)學(xué)表達(dá)式為 。

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通過實驗所得的mf51型半導(dǎo)體熱敏電阻的電阻—溫度特性的數(shù)學(xué)表達(dá)式為 。根據(jù)所得表達(dá)式計算出熱敏電阻的電阻～溫度特性的測量值，與表一所給出的參考值有較好的一致性，如下表所示：

表三 實驗結(jié)果比較

溫度℃ 25 30 35 40 45 50 55 60 65

參考值rt ω 2700 2225 1870 1573 1341 1160 1000 868 748

測量值rt ω 2720 2238 1900 1587 1408 1232 1074 939 823

相對誤差 % 0.74 0.58 1.60 0.89 4.99 6.20 7.40 8.18 10.00

從上述結(jié)果來看，基本在實驗誤差范圍之內(nèi)。但我們可以清楚的發(fā)現(xiàn)，隨著溫度的升高，電阻值變小，但是相對誤差卻在變大，這主要是由內(nèi)熱效應(yīng)而引起的。

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在實驗過程中，由于利用非平衡電橋測量熱敏電阻時總有一定的工作電流通過，熱敏電阻的電阻值大，體積小，熱容量小，因此焦耳熱將迅速使熱敏電阻產(chǎn)生穩(wěn)定的高于外界溫度的附加內(nèi)熱溫升，這就是所謂的內(nèi)熱效應(yīng)。在準(zhǔn)確測量熱敏電阻的溫度特性時，必須考慮內(nèi)熱效應(yīng)的影響。本實驗不作進(jìn)一步的研究和探討。

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通過實驗，我們很明顯的可以發(fā)現(xiàn)熱敏電阻的阻值對溫度的變化是非常敏感的，而且隨著溫度上升，其電阻值呈指數(shù)關(guān)系下降。因而可以利用電阻—溫度特性制成各類傳感器，可使微小的溫度變化轉(zhuǎn)變?yōu)殡娮璧淖兓纬纱蟮男盘栞敵?，特別適于高精度測量。又由于元件的體積小，形狀和封裝材料選擇性廣，特別適于高溫、高濕、振動及熱沖擊等環(huán)境下作溫濕度傳感器，可應(yīng)用與各種生產(chǎn)作業(yè)，開發(fā)潛力非常大。

參考文獻(xiàn)：

有關(guān)實驗失敗及教訓(xùn)心得體會和感想三

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文件和文件夾的管理

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1.熟悉windows xp的文件系統(tǒng)。

2.掌握資源管理器的使用方法。

3.熟練掌握在windows xp資源管理器下，對文件（夾）的選擇、新建、移動、復(fù)制、刪除、重命名的操作方法。

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1.啟動資源管理器并利用資源管理器瀏覽文件。

2.在d盤創(chuàng)建文件夾

3.在所創(chuàng)建文件夾中創(chuàng)建word文件。

4.對所創(chuàng)建文件或文件夾執(zhí)行復(fù)制、移動、重命名、刪除、恢復(fù)、創(chuàng)建快捷方式及設(shè)置共享等操作。

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（一）文件與文件夾管理

1.展開與折疊文件夾。右擊開始，打開資源管理器，在左窗格中點擊“+”展開，點擊“—”折疊

2.改變文件顯示方式。打開資源管理器/查看，選擇縮略、列表，排列圖標(biāo)等

3.建立樹狀目錄。在d盤空白處右擊，選擇新建/文件夾，輸入經(jīng)濟貿(mào)易學(xué)院，依次在新建文件夾中建立經(jīng)濟類1103

4..創(chuàng)建word并保存。打開開始/程序/word，輸入內(nèi)容。選擇文件/另存為，查找d盤/經(jīng)濟貿(mào)易學(xué)院/1103班/王帥，單擊保存

5.復(fù)制、移動文件夾

6.重命名、刪除、恢復(fù)。右擊文件夾，選擇重命名，輸入新名字；選擇刪除，刪除文件

7.創(chuàng)建文件的快捷方式。右擊王帥文件夾，選擇發(fā)送到/桌面快捷方式

8.設(shè)置共享文件。右擊王帥，選擇屬性/共享/在網(wǎng)絡(luò)上共享這個文件/確定

9.顯示擴展名。打開資源管理器/工具/文件夾選項/查看/高級設(shè)置，撤銷隱藏已知文件的擴展名

（二）控制面板的設(shè)置。

1.設(shè)置顯示屬性。右擊打開顯示屬性/桌面、屏幕保護程序

2.設(shè)置鼠標(biāo)。打開控制面板/鼠標(biāo)/按鈕（調(diào)整滑塊，感受速度）、指針

3.設(shè)置鍵盤。打開控制面板/鍵盤/速度（調(diào)整滑塊，感受速度）、硬件

4.設(shè)置日期和時間打開控制面板/日期和時間

5.設(shè)置輸入法。打開控制面板/區(qū)域與語言選項/詳細(xì)信息/文字服務(wù)與輸入語言

（三）windows附件的使用

1.計算器。打開開始/所有程序/附件/計算器/查看/科學(xué)型，

2.畫圖。打開開始/程序/附件/畫圖/橢圓/填充/選定

3.清理磁盤。打開開始/程序/附件/系統(tǒng)工具/磁盤清理，選擇磁盤，確定

4.整理磁盤碎片。打開開始/程序/附件/系統(tǒng)工具/磁盤碎片整理

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通過對《大學(xué)計算機基礎(chǔ)》的學(xué)習(xí)和上機，我掌握了包括文件的管理、控制面板的設(shè)置、windows

附件的使用等在內(nèi)的計算機基礎(chǔ)知識和操作技術(shù)，讓我對計算機有了初步認(rèn)識。

六、實驗心得

對文件的管理、控制面板的設(shè)置、windows附件的使用等在內(nèi)的計算機基礎(chǔ)知識和操作技術(shù)的學(xué)習(xí)，讓我對計算機的工作原理和簡單操作有了熟練地掌握，使我對計算機的運用充滿好奇與熱情，也為我以后在工作崗位上運用計算機技術(shù)，更好的讓計算機服務(wù)于生活、工作打下堅實的基礎(chǔ)。我相信，在老師辛勤教導(dǎo)下，在我的努力學(xué)習(xí)下，我一定能夠讓計算機及其運用技術(shù)創(chuàng)造我們更好的明天。