我們在一些事情上受到啟發(fā)后,應該馬上記錄下來,寫一篇心得體會,這樣我們可以養(yǎng)成良好的總結方法。心得體會對于我們是非常有幫助的,可是應該怎么寫心得體會呢?接下來我就給大家介紹一下如何才能寫好一篇心得體會吧,我們一起來看一看吧。
對于實驗實訓后的心得體會和感想一
熱敏電阻是根據(jù)半導體材料的電導率與溫度有很強的依賴關系而制成的一種器件,其電阻溫度系數(shù)一般為(-0.003~+0.6)℃-1。因此,熱敏電阻一般可以分為:
ⅰ、負電阻溫度系數(shù)(簡稱ntc)的熱敏電阻元件
常由一些過渡金屬氧化物(主要用銅、鎳、鈷、鎘等氧化物)在一定的燒結條件下形成的半導體金屬氧化物作為基本材料制成的,近年還有單晶半導體等材料制成。國產(chǎn)的主要是指mf91~mf96型半導體熱敏電阻。由于組成這類熱敏電阻的上述過渡金屬氧化物在室溫范圍內基本已全部電離,即載流子濃度基本上與溫度無關,因此這類熱敏電阻的電阻率隨溫度變化主要考慮遷移率與溫度的關系,隨著溫度的升高,遷移率增加,電阻率下降。大多應用于測溫控溫技術,還可以制成流量計、功率計等。
ⅱ、正電阻溫度系數(shù)(簡稱ptc)的熱敏電阻元件
常用鈦酸鋇材料添加微量的鈦、鋇等或稀土元素采用陶瓷工藝,高溫燒制而成。這類熱敏電阻的電阻率隨溫度變化主要依賴于載流子濃度,而遷移率隨溫度的變化相對可以忽略。載流子數(shù)目隨溫度的升高呈指數(shù)增加,載流子數(shù)目越多,電阻率越小。應用廣泛,除測溫、控溫,在電子線路中作溫度補償外,還制成各類加熱器,如電吹風等。
【實驗裝置】
fqj-ⅱ型教學用非平衡直流電橋,fqj非平衡電橋加熱實驗裝置(加熱爐內置mf51型半導體熱敏電阻(2.7kω)以及控溫用的溫度傳感器),連接線若干。
【實驗原理】
根據(jù)半導體理論,一般半導體材料的電阻率 和絕對溫度 之間的關系為
(1-1)
式中a與b對于同一種半導體材料為常量,其數(shù)值與材料的物理性質有關。因而熱敏電阻的電阻值 可以根據(jù)電阻定律寫為
(1-2)
式中 為兩電極間距離, 為熱敏電阻的橫截面, 。
對某一特定電阻而言, 與b均為常數(shù),用實驗方法可以測定。為了便于數(shù)據(jù)處理,將上式兩邊取對數(shù),則有
(1-3)
上式表明 與 呈線性關系,在實驗中只要測得各個溫度 以及對應的電阻 的值,
以 為橫坐標, 為縱坐標作圖,則得到的圖線應為直線,可用圖解法、計算法或最小二乘法求出參數(shù) a、b的值。
熱敏電阻的電阻溫度系數(shù) 下式給出
(1-4)
從上述方法求得的b值和室溫代入式(1-4),就可以算出室溫時的電阻溫度系數(shù)。
熱敏電阻 在不同溫度時的電阻值,可由非平衡直流電橋測得。非平衡直流電橋原理圖如右圖所示,b、d之間為一負載電阻 ,只要測出 ,就可以得到 值。
當負載電阻 → ,即電橋輸出處于開
路狀態(tài)時, =0,僅有電壓輸出,用 表示,當 時,電橋輸出 =0,即電橋處于平衡狀態(tài)。為了測量的準確性,在測量之前,電橋必須預調平衡,這樣可使輸出電壓只與某一臂的電阻變化有關。
若r1、r2、r3固定,r4為待測電阻,r4 = rx,則當r4→r4+△r時,因電橋不平衡而產(chǎn)生的電壓輸出為:
(1-5)
在測量mf51型熱敏電阻時,非平衡直流電橋所采用的是立式電橋 , ,且 ,則
(1-6)
式中r和 均為預調平衡后的電阻值,測得電壓輸出后,通過式(1-6)運算可得△r,從而求的 =r4+△r。
根據(jù)表一中mf51型半導體熱敏電阻(2.7kω)之電阻~溫度特性研究橋式電路,并設計各臂電阻r和 的值,以確保電壓輸出不會溢出(本實驗 =1000.0ω, =4323.0ω)。
根據(jù)橋式,預調平衡,將“功能轉換”開關旋至“電壓“位置,按下g、b開關,打開實驗加熱裝置升溫,每隔2℃測1個值,并將測量數(shù)據(jù)列表(表二)。
表一 mf51型半導體熱敏電阻(2.7kω)之電阻~溫度特性
溫度℃ 25 30 35 40 45 50 55 60 65
電阻ω 2700 2225 1870 1573 1341 1160 1000 868 748
表二 非平衡電橋電壓輸出形式(立式)測量mf51型熱敏電阻的數(shù)據(jù)
i 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
溫度t℃ 10.4 12.4 14.4 16.4 18.4 20.4 22.4 24.4 26.4 28.4
熱力學t k 283.4 285.4 287.4 289.4 291.4 293.4 295.4 297.4 299.4 301.4
0.0 -12.5 -27.0 -42.5 -58.4 -74.8 -91.6 -107.8 -126.4 -144.4
0.0 -259.2 -529.9 -789 -1027.2 -124.8 -1451.9 -1630.1 -1815.4 -1977.9
4323.0 4063.8 3793.1 3534.0 3295.8 3074.9 2871.1 2692.9 2507.6 2345.1
根據(jù)表二所得的數(shù)據(jù)作出 ~ 圖,如右圖所示。運用最小二乘法計算所得的線性方程為 ,即mf51型半導體熱敏電阻(2.7kω)的電阻~溫度特性的數(shù)學表達式為 。
通過實驗所得的mf51型半導體熱敏電阻的電阻—溫度特性的數(shù)學表達式為 。根據(jù)所得表達式計算出熱敏電阻的電阻~溫度特性的測量值,與表一所給出的參考值有較好的一致性,如下表所示:
表三 實驗結果比較
溫度℃ 25 30 35 40 45 50 55 60 65
參考值rt ω 2700 2225 1870 1573 1341 1160 1000 868 748
測量值rt ω 2720 2238 1900 1587 1408 1232 1074 939 823
相對誤差 % 0.74 0.58 1.60 0.89 4.99 6.20 7.40 8.18 10.00
從上述結果來看,基本在實驗誤差范圍之內。但我們可以清楚的發(fā)現(xiàn),隨著溫度的升高,電阻值變小,但是相對誤差卻在變大,這主要是由內熱效應而引起的。
在實驗過程中,由于利用非平衡電橋測量熱敏電阻時總有一定的工作電流通過,熱敏電阻的電阻值大,體積小,熱容量小,因此焦耳熱將迅速使熱敏電阻產(chǎn)生穩(wěn)定的高于外界溫度的附加內熱溫升,這就是所謂的內熱效應。在準確測量熱敏電阻的溫度特性時,必須考慮內熱效應的影響。本實驗不作進一步的研究和探討。
通過實驗,我們很明顯的可以發(fā)現(xiàn)熱敏電阻的阻值對溫度的變化是非常敏感的,而且隨著溫度上升,其電阻值呈指數(shù)關系下降。因而可以利用電阻—溫度特性制成各類傳感器,可使微小的溫度變化轉變?yōu)殡娮璧淖兓纬纱蟮男盘栞敵?,特別適于高精度測量。又由于元件的體積小,形狀和封裝材料選擇性廣,特別適于高溫、高濕、振動及熱沖擊等環(huán)境下作溫濕度傳感器,可應用與各種生產(chǎn)作業(yè),開發(fā)潛力非常大。
參考文獻:
對于實驗實訓后的心得體會和感想二
:溴乙烷的合成
:
1、學習從醇制備溴乙烷的原理和方法
2、鞏固蒸餾的操作技術和學習分液漏斗的使用。
主要的副反應:
反應裝置示意圖:
(注:在此畫上合成的裝置圖)
實驗步驟
現(xiàn)象記錄
1、加料:
將9.0ml水加入100ml圓底燒瓶,在冷卻和不斷振蕩下,慢慢地加入19.0ml濃硫酸。冷至室溫后,再加入10ml95%乙醇,然后在攪拌下加入13.0g研細的溴化鈉,再投入2-3粒沸石。
放熱,燒瓶燙手。
2、裝配裝置,反應:
裝配好蒸餾裝置。為防止產(chǎn)品揮發(fā)損失,在接受器中加入5ml40%nahso3溶液,放在冰水浴中冷卻,并使接受管(具小咀)的末端剛好浸沒在接受器的水溶液中。用小火加熱石棉網(wǎng)上的燒瓶,瓶中物質開始冒泡,控制火焰大小,使油狀物質逐漸蒸餾出去,約30分鐘后慢慢加大火焰,直到無油滴蒸出為止。
加熱開始,瓶中出現(xiàn)白霧狀hbr。稍后,瓶中白霧狀hbr增多。瓶中原來不溶的固體逐漸溶解,因溴的生成,溶液呈橙黃色。
3、產(chǎn)物粗分:
將接受器中的液體倒入分液漏斗中。靜置分層后,將下層的粗制溴乙烷放入干燥的小錐形瓶中。將錐形瓶浸于冰水浴中冷卻,逐滴往瓶中加入濃硫酸,同時振蕩,直到溴乙烷變得澄清透明,而且瓶底有液層分出(約需4ml濃硫酸)。用干燥的分液漏斗仔細地分去下面的硫酸層,將溴乙烷層從分液漏斗的上口倒入30ml蒸餾瓶中。
接受器中液體為渾濁液。分離后的溴乙烷層為澄清液。
4、溴乙烷的精制
配蒸餾裝置,加2-3粒沸石,用水浴加熱,蒸餾溴乙烷。收集37-40℃的餾分。收集產(chǎn)品的接受器要用冰水浴冷卻。無色液體,樣品+瓶重=30.3g,其中,瓶重20.5g,樣品重9.8g。
5、計算產(chǎn)率。
理論產(chǎn)量:0.126×109=13.7g
產(chǎn)率:9.8/13、7=71.5%
(1)溶液中的橙黃色可能為副產(chǎn)物中的溴引起。
(2)最后一步蒸餾溴乙烷時,溫度偏高,致使溴乙烷逸失,產(chǎn)量因而偏低,以后實驗應嚴格操作。
對于實驗實訓后的心得體會和感想三
摘要:熱敏電阻是阻值對溫度變化非常敏感的一種半導體電阻,具有許多獨特的優(yōu)點和用途,在自動控制、無線電子技術、遙控技術及測溫技術等方面有著廣泛的應用。本實驗通過用電橋法來研究熱敏電阻的電阻溫度特性,加深對熱敏電阻的電阻溫度特性的了解。
關鍵詞:熱敏電阻、非平衡直流電橋、電阻溫度特性
1、引言
熱敏電阻是根據(jù)半導體材料的電導率與溫度有很強的依賴關系而制成的一種器件,其電阻溫度系數(shù)一般為(-0.003~+0.6)℃-1。因此,熱敏電阻一般可以分為:
ⅰ、負電阻溫度系數(shù)(簡稱ntc)的熱敏電阻元件
常由一些過渡金屬氧化物(主要用銅、鎳、鈷、鎘等氧化物)在一定的燒結條件下形成的半導體金屬氧化物作為基本材料制成的,近年還有單晶半導體等材料制成。國產(chǎn)的主要是指mf91~mf96型半導體熱敏電阻。由于組成這類熱敏電阻的上述過渡金屬氧化物在室溫范圍內基本已全部電離,即載流子濃度基本上與溫度無關,因此這類熱敏電阻的電阻率隨溫度變化主要考慮遷移率與溫度的關系,隨著溫度的升高,遷移率增加,電阻率下降。大多應用于測溫控溫技術,還可以制成流量計、功率計等。
ⅱ、正電阻溫度系數(shù)(簡稱ptc)的熱敏電阻元件
常用鈦酸鋇材料添加微量的鈦、鋇等或稀土元素采用陶瓷工藝,高溫燒制而成。這類熱敏電阻的電阻率隨溫度變化主要依賴于載流子濃度,而遷移率隨溫度的變化相對可以忽略。載流子數(shù)目隨溫度的升高呈指數(shù)增加,載流子數(shù)目越多,電阻率越校應用廣泛,除測溫、控溫,在電子線路中作溫度補償外,還制成各類加熱器,如電吹風等。
2、實驗裝置及原理
【實驗裝置】
fqj—ⅱ型教學用非平衡直流電橋,fqj非平衡電橋加熱實驗裝置(加熱爐內置mf51型半導體熱敏電阻(2.7kω)以及控溫用的溫度傳感器),連接線若干。
【實驗原理】
根據(jù)半導體理論,一般半導體材料的電阻率 和絕對溫度 之間的關系為
(1—1)
式中a與b對于同一種半導體材料為常量,其數(shù)值與材料的物理性質有關。因而熱敏電阻的電阻值 可以根據(jù)電阻定律寫為
(1—2)
式中 為兩電極間距離, 為熱敏電阻的橫截面, 。
對某一特定電阻而言, 與b均為常數(shù),用實驗方法可以測定。為了便于數(shù)據(jù)處理,將上式兩邊取對數(shù),則有
(1—3)
上式表明 與 呈線性關系,在實驗中只要測得各個溫度 以及對應的電阻 的值,
以 為橫坐標, 為縱坐標作圖,則得到的圖線應為直線,可用圖解法、計算法或最小二乘法求出參數(shù) a、b的值。
熱敏電阻的電阻溫度系數(shù) 下式給出
(1—4)
從上述方法求得的b值和室溫代入式(1—4),就可以算出室溫時的電阻溫度系數(shù)。
熱敏電阻 在不同溫度時的電阻值,可由非平衡直流電橋測得。非平衡直流電橋原理圖如右圖所示,b、d之間為一負載電阻 ,只要測出 ,就可以得到 值。
當負載電阻 → ,即電橋輸出處于開
路狀態(tài)時, =0,僅有電壓輸出,用 表示,當 時,電橋輸出 =0,即電橋處于平衡狀態(tài)。為了測量的準確性,在測量之前,電橋必須預調平衡,這樣可使輸出電壓只與某一臂的電阻變化有關。
若r1、r2、r3固定,r4為待測電阻,r4 = rx,則當r4→r4+△r時,因電橋不平衡而產(chǎn)生的電壓輸出為:
(1—5)
在測量mf51型熱敏電阻時,非平衡直流電橋所采用的是立式電橋 , ,且 ,則
(1—6)
式中r和 均為預調平衡后的電阻值,測得電壓輸出后,通過式(1—6)運算可得△r,從而求的 =r4+△r。
3、熱敏電阻的電阻溫度特性研究
根據(jù)表一中mf51型半導體熱敏電阻(2.7kω)之電阻~溫度特性研究橋式電路,并設計各臂電阻r和 的值,以確保電壓輸出不會溢出(本實驗 =1000.0ω, =4323.0ω)。
根據(jù)橋式,預調平衡,將“功能轉換”開關旋至“電壓“位置,按下g、b開關,打開實驗加熱裝置升溫,每隔2℃測1個值,并將測量數(shù)據(jù)列表(表二)。
表一 mf51型半導體熱敏電阻(2.7kω)之電阻~溫度特性
溫度℃ 25 30 35 40 45 50 55 60 65
電阻ω 2700 2225 1870 1573 1341 1160 1000 868 748
表二 非平衡電橋電壓輸出形式(立式)測量mf51型熱敏電阻的數(shù)據(jù)
i 9 10
溫度t℃ 10.4 12.4 14.4 16.4 18.4 20.4 22.4 24.4 26.4 28.4
熱力學t k 283.4 285.4 287.4 289.4 291.4 293.4 295.4 297.4 299.4 301.4
0.0 -12.5 -27.0 -42.5 -58.4 -74.8 -91.6 -107.8 -126.4 -144.4
0.0 -259.2 -529.9 -789 -1027.2 -124.8 -1451.9 -1630.1 -1815.4 -1977.9
4323.0 4063.8 3793.1 3534.0 3295.8 3074.9 2871.692.9 2507.6 2345.1
根據(jù)表二所得的數(shù)據(jù)作出 ~ 圖,如右圖所示。運用最小二乘法計算所得的線性方程為 ,即mf51型半導體熱敏電阻(2.7kω)的電阻~溫度特性的數(shù)學表達式為 。
4、實驗結果誤差
通過實驗所得的mf51型半導體熱敏電阻的電阻—溫度特性的數(shù)學表達式為 。根據(jù)所得表達式計算出熱敏電阻的電阻~溫度特性的測量值,與表一所給出的參考值有較好的一致性,如下表所示:
表三 實驗結果比較
溫度℃ 25 30 35 40 45 50 55 60 65
參考值rt ω 2700 2225 1870 1573 1341 1160 1000 868 748
測量值rt ω 2720 2238 1900 1587 1408 1232 1074 939 823
相對誤差 % 0.74 0.58 1.60 0.89 4.99 6.20 7.40 8.18 10.00
從上述結果來看,基本在實驗誤差范圍之內。但我們可以清楚的發(fā)現(xiàn),隨著溫度的升高,電阻值變小,但是相對誤差卻在變大,這主要是由內熱效應而引起的。
5、內熱效應的影響
在實驗過程中,由于利用非平衡電橋測量熱敏電阻時總有一定的工作電流通過,熱敏電阻的電阻值大,體積小,熱容量小,因此焦耳熱將迅速使熱敏電阻產(chǎn)生穩(wěn)定的高于外界溫度的附加內熱溫升,這就是所謂的內熱效應。在準確測量熱敏電阻的溫度特性時,必須考慮內熱效應的影響。本實驗不作進一步的研究和探討。
6、實驗小結
通過實驗,我們很明顯的可以發(fā)現(xiàn)熱敏電阻的阻值對溫度的變化是非常敏感的,而且隨著溫度上升,其電阻值呈指數(shù)關系下降。因而可以利用電阻—溫度特性制成各類傳感器,可使微小的溫度變化轉變?yōu)殡娮璧淖兓纬纱蟮男盘栞敵?,特別適于高精度測量。又由于元件的體積小,形狀和封裝材料選擇性廣,特別適于高溫、高濕、振動及熱沖擊等環(huán)境下作溫濕度傳感器,可應用與各種生產(chǎn)作業(yè),開發(fā)潛力非常大。
參考文獻:
[1] 竺江峰,蘆立娟,魯曉東。 大學物理實驗[m]
[2] 楊述武,楊介信,陳國英。普通物理實驗(二、電磁學部分)[m] 北京:高等教育出版社
[3] 《大學物理實驗》編寫組。 大學物理實驗[m] 廈門:廈門大學出版社
[4] 陸申龍,曹正東。 熱敏電阻的電阻溫度特性實驗教與學[j]
對于實驗實訓后的心得體會和感想四
1、只有當教師在場時才能進行實驗,不能進行未經(jīng)允許的實驗。
2、實驗一開始就要注意安全,實驗開始前要閱讀和思考每一項實驗任務。
3、知道實驗室中所有安全器材的存放位置和使用方法,它們應包括:水龍頭、滅火器等。
4、進行實驗要穿上鞋(不穿拖鞋)并把松散的頭發(fā)系在后背。
5、開始實驗前要清除實驗臺上諸如書籍、衣物等不必要的物品。
6、有些化學藥品的分子式和名稱僅相差一個字母或一個數(shù)字,所以在取用藥品時,要檢查化學藥品標簽兩次,確保取用了正確的物質,
7、根據(jù)要求,你可能要把一些實驗藥品從普通的試劑瓶或廣口瓶中轉移到自己的試管或燒杯中,未經(jīng)教師允許,不準把多余的藥品放回到原來的容器中。
8、在實驗室里避免不必要的移動和講話。
9、不要品嘗實驗藥品??谙闾?、食物或飲料不應帶進實驗室。
10、嗅物質的氣味時,扇動一些物質的蒸氣到你的鼻孔,不要把鼻子靠近容器的敞口。你的教師將給你演示正確的操作技術。
11、不要直視試管進行觀察,應從側面觀察試管中的物質。不要把試管的開口端朝向自己和你周圍的同學。
12、任何實驗室事故,無論多小,都應立刻報告教師。
13、一但化學藥品濺灑到你的皮膚或衣物上,應用大量的水沖洗濺灑部位。如果濺到眼睛上必須立刻用水沖洗并持續(xù)10到15分鐘,或直至得到醫(yī)生的救助。
14、較輕的皮膚灼傷應放在冷的流水下沖洗。
15、拋棄廢舊物品時,注意遵循有關規(guī)定。
16、實驗結束后,應把儀器、藥品、實驗服和防護眼鏡放回指定的位置。
17、離開實驗室前,務必關閉電源和水龍頭。
18、如有疑問,請詢問。
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